تراشه IR2111 درایور MOSFET و IGBT

سازنده: RNGO

آی سی IR2111 یک درایور ولتاژ و سرعت بالا برای MOSFET و IGBT می باشد که خروجی آن برای کاربردهای HALF-BRIDGE طراحی شده است.
درایور ترانزیستورهای ماسفت و IGBT با 8 پایه و قیمت ارزان مبتنی بر تکنولوژی CMOS دارای تغذیه تا حداکثر 20 ولت بوده در حالی که تا ولتاژ 600 ولت را قادر به تحمل در قسمت قدرت خود می باشد.
مدت زمان dead time در این تراشه برابر با 650ns است، این زمان توسط تراشه تنظیم می شود لذا قابل تغییر نیست، زمان تاخیر در روشن شدن این آی سی 750ns و تاخیر در خاموشی 150ns می باشد. لازم به ذکر است که از این آی سی برای استفاده در فرکانس های بالا توصیه نمی‌شود.
ویژگی‌ها:
Floating channel designed for bootstrap operation
Fully operational to +600V
Tolerant to negative transient voltage
dV/dt immune
Gate drive supply range from 10 to 20V
Undervoltage lockout for both channels
CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down
Matched propagation delay for both channels
Internally set deadtime
High side output in phase with input
Also available LEAD-FREE